MJE13009 PDF

If you agree to this Agreement on behalf of a company, you represent and warrant that you have authority to bind such company to this Agreement, and your agreement to these terms will be regarded as the agreement of such company. In that event, "Licensee" herein refers to such company. Delivery of Content. Licensee agrees that it has received a copy of the Content, including Software i. BOM, Gerber, user manual, schematic, test procedures, etc.

Author:	Goltimuro Bakora
Country:	Bangladesh
Language:	English (Spanish)
Genre:	Photos
Published (Last):	17 November 2015
Pages:	434
PDF File Size:	9.43 Mb
ePub File Size:	19.1 Mb
ISBN:	575-7-95441-750-1
Downloads:	52373
Price:	Free* [*Free Regsitration Required]
Uploader:	Shakarisar

IB 6А, импульсный пиковый IБ пик. Параметры у различных производителей незначительно отличаются. Комплементарная пара Комплементарная пара отсутствует. Маркировка Транзистор, чаще всего, обозначен на корпусе только цифрами. Считается, что впервые данный транзистор произвела американская компания Motorola. Символы mje, в начале маркировки транзистора указывали на брэнд именно этой компании. В то же время ON Semiconductor, дочерняя компания Motorola, так же продолжает выпускать эти транзисторы с указанием mje на корпусе.

Они немного отличаются характеристиками от рассматриваемого в статье устройства, поэтому перед заменой стоит ознакомится с их техническим описанием и выбрать наиболее подходящий для замены. Полными аналогами , но с немного заниженными характеристиками являются mje, mje, mje Они чаще всего встречаются в корпусе ТО Особенности , по своим характеристикам, является силовым транзистором, который сильно греется при работе. Поэтому он выпускается в корпусе, обеспечивающим тепловой контакт между его металлической поверхностью и внешним радиатором.

Металлическая поверхность устройства связана электрически с коллектором. Соблюдайте тепловые параметры при работе устройства. Установка транзистора на радиатор является одним из необходимых условий его правильной работы. Не допускайте сильного увеличения постоянной мощности рассеивания Ptod.

При превышении максимально допустимой мощности рассеивания более Вт транзистор перегреется и выйдет из строя.